Home » فروشگاه » آی سی IR2110 گیت درایور نیم پل High-Side/Low-Side

آی سی IR2110 گیت درایور نیم پل High-Side/Low-Side

IR2110 گیت‌درایور دوکاناله High-Side/Low-Side برای MOSFET و IGBT با کانال شناور تا 500 V، تغذیه گیت 10 تا 20 V و جریان پالسی حداقل 2 A در هر جهت است. این مدل در پکیج PDIP-14 عرضه می‌شود و UVLO و ورودی SD دارد.

توجه!

ماژول‌های جبرابیت، پیش از ورود به فروش، با قطعات اصلی و تحت فرایندهای تست عملکرد و پایداری بررسی می‌شوند. این موضوع باعث می‌شود محصول نهایی از نظر کیفیت، دقت و دوام در سطح استانداردهای مهندسی قرار گیرد.
در بازار ممکن است محصولات مشابه با قیمت پایین‌تر دیده شوند، اما بسیاری از آن‌ها بدون کنترل کیفیت و با قطعات غیرمعتبر عرضه می‌شوند که در پروژه‌های حساس موجب خطا، ناپایداری یا آسیب به سیستم می‌شود.
هدف ما ارائه محصولی است که نه‌تنها به‌درستی کار کند، بلکه در بلندمدت اعتماد و کارایی واقعی به همراه داشته باشد. این کیفیت، نتیجه استفاده از قطعات اصل و انجام تست‌های دقیق پیش از ارسال است.

IR2110 از خانواده درایورهای Infineon / International Rectifier، دو خروجی مستقل برای راه‌اندازی گیت MOSFET یا IGBT سمت بالا و پایین دارد. کانال شناور آن برای تغذیه بوت‌استرپ طراحی شده است.

ویژگی‌ها و مشخصات فنی IR2110

مشخصهمقدار یا توضیح
نوع و کانال‌هادو کانال High-Side / Low-Side؛ خروجی هم‌فاز با ورودی
ولتاژ کانال شناورتا 500 V نسبت به مرجع قدرت؛ این مقدار ولتاژ تغذیه گیت نیست
تغذیه درایو گیتVCC و VB−VS: از 10 تا 20 V در شرایط توصیه‌شده
منطق ورودیسازگار با منطق 3.3 V؛ تغذیه منطقی VDD مستقل از VCC
جریان شارژ / تخلیه گیتهر جهت: حداقل 2 A و معمول 2.5 A در آزمون پالسی دیتاشیت
شرایط آزمون جریانتغذیه 15 V، دمای 25 °C و پهنای پالس حداکثر 10 µs؛ جریان بار قدرت نیست
تأخیر روشن / خاموشمعمول 120 / 94 ns؛ حداکثر 150 / 125 ns
زمان صعود / نزولمعمول 25 / 17 ns؛ حداکثر 35 / 25 ns
شرایط آزمون زمان‌بندیتغذیه‌های 15 V، بار خازنی 1000 pF و دمای 25 °C
اختلاف تأخیر دو کانالحداکثر 10 ns طبق شرایط آزمون
حفاظت و کنترلUVLO برای هر دو کانال؛ ورودی خاموش‌سازی SD
پکیجPDIP-14
دمای محیط کاریاز −40 تا +125 °C

عملکرد و قابلیت‌ها

HIN و LIN کانال‌های HO و LO را مستقل کنترل می‌کنند. برای نیم‌پل، زمان مرده باید در کنترل ورودی‌ها تأمین شود؛ ورودی SD جایگزین جلوگیری از هم‌پوشانی دو فرمان نیست. انتقال سطح ولتاژ این آی‌سی، ایزولاسیون گالوانیکی میان کنترل و قدرت ایجاد نمی‌کند.

کاربردها

راه‌اندازی نیم‌پل، مبدل توان و کنترل موتور با MOSFET یا IGBT خارجی، پس از بررسی بار گیت و زمان‌بندی مدار.

نکات طراحی و استفاده

خازن و دیود بوت‌استرپ را بر اساس بار گیت و زمان روشن‌ماندن کلید بالا انتخاب کنید. مسیر گیت و بای‌پس تغذیه باید کوتاه باشد. نقشه پایه‌های نسخه DIP را با نسخه S اشتباه نگیرید.

دیتاشیت و منابع رسمی

No product_doc found.
No project found.
No faq found.
No technical documents found for this product.
Be the first to write a review

Help the Gebra team improve the quality by your comments and ratings

Your email address will not be published. Required fields are marked *


توجه!

محصولات ما صرفاً برای اهداف تحقیقاتی و توسعه طراحی شده‌اند. جبرابیت صراحتاً اعلام می‌کند که در صورت استفاده کاربران از این محصولات در کاربردهای حساس و دقیق از جمله امور مالی یا مواردی که به جان و مال انسان آسیب می‌زنند، هیچ‌گونه مسئولیتی را نمی‌پذیرد.

برای اطلاع دقیق از مقادیر کاری و حداکثر مقادیر مجاز آی‌سی‌ها (IC)، کاربران باید حتماً به دیتاشیت اصلی و رسمی آن قطعات مراجعه کنند.

Shopping Cart
Scroll to Top